| IOPS | مقاومت در برابر شوک : دارد |
| ۶۲,۰۰۰ IOPS | سرعت نوشتن تصادفی ۴K |
| ابعاد ۸۰.۱۵×۲۲.۱۵×۲.۳۸ میلی‌متر | وزن : ۸ گرم |
| پشتیبانی از NVMe دارد | پشتیبانی از فرمان TRIM :دارد |
| خنک‌کننده ندارد | نوع فلش : V-NAND |
| درگاه اتصال M.2 | رابط حافظه در حالت M2.0 |
| سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی | ۴۸۰,۰۰۰IOPS |
| سرعت نوشتن ترتیبی حداکثر تا ۳۳۰۰ مگابایت بر ثانیه | سرعت خواندن تصادفی ۴K : |
| طول عمر ۱,۵۰۰,۰۰۰ ساعت | توان مصرفی : ۶ وات |
| ظرفیت | دو ترابایت |
| فرم ظاهری ۲۲۸۰ | ظرفیت : ۲ ترابایت |
| قابلیت‌های مقاومتی | مقاوم در برابر لرزش |
| مقاومت در برابر لرزش دارد | مقاومت در برابر ضربه : دارد |
| نسل PCIe نسل ۳.۰ و ۴.۰ | سرعت خواندن ترتیبی : حداکثر تا ۳۵۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| وزن | ۸ گرم |
اتمام موجودی
اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ۹۷۰ EVO PLUS ظرفیت ۲ ترابایت
- ظرفیت: دو ترابایت
- قابلیت‌های مقاومتی: مقاوم در برابر لرزش
تحویل سفارشات ۲۶ اسفندماه به بعد، مورخ ۷ فروردین ۱۴۰۲ خواهد بود.
توضیحات
نقد و بررسی‌ها
هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.